?    壓力傳感器有很多參數指標，其中有一項是過(guò)載保護，過(guò)載就是負荷過(guò)大，超過(guò)了設備本身的額定負載，產(chǎn)生的現象是電流過(guò)大，用電設備發(fā)熱，線(xiàn)路長(cháng)期過(guò)載會(huì )降低線(xiàn)路絕緣水平，甚至燒毀傳感器設備或線(xiàn)路；過(guò)載保護就是即使負荷超過(guò)了額定負載也不會(huì )出現燒壞線(xiàn)路的情況，但是也有一個(gè)度，一般是150%的范圍內，而且不能持續過(guò)載工作。

??壓力傳感器有很多形式，每種結構形式的過(guò)載保護設計方法也是各不相同的，眾多方法都有各自的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)，采用MEMS 技術(shù)的小量程、高靈敏壓力傳感器通 常有平膜、島膜、梁膜等結構，在設計過(guò)載保護時(shí)，一般采用凸臺等方法實(shí)現，形成方法有背部刻蝕技術(shù)、硅直接鍵合技術(shù)、玻璃刻蝕技術(shù)等。然而這些結構一般都 有一個(gè)很大的局限性就是腔體尺寸較大，進(jìn)一步提高靈敏度受到限制，而且降低了硅片利用率，增加了制造工藝的復雜度，提高了生產(chǎn)成本。

??目前，小量程、高靈敏壓力傳感器的研究熱點(diǎn)集中在犧牲層結構壓力傳感器，這主要是因為犧牲層結構壓力傳感器彈性膜片很薄，厚度可做到2 μm，甚至更薄。在這樣薄的結構上，如果采用擴散硅或多晶硅薄膜作為犧牲層結構壓力傳感器的應變電阻，其厚度相對較大，對彈性膜片應力分布影響很大，不利于犧牲層結構壓力傳感器的性能優(yōu)化，因此采用多晶硅納米薄膜制作應變電阻更能發(fā)揮犧牲層技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。

??過(guò)載保護是每種傳感器都要考慮的，因為在使用過(guò)程中可能會(huì )出現測量值大于量程的情況，只有設計了過(guò)載保護的傳感器才能更好的使用，也才能使用得更久。具體每種傳感器的過(guò)載保護是如何設計的，過(guò)載范圍是多少都是不同的，所以不管是買(mǎi)哪種傳感器一定要了解它的過(guò)載保護是多少，這樣才能更好的方便使用，在未來(lái)使用過(guò)程中也不會(huì )出現由于過(guò)載燒壞電路的情況。以上便是為大家介紹壓力傳感器的過(guò)載后果和保護方法。